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MDT5-C2-30-310
♦ 抑制干扰种类：雷击闪络突波、开关突波、开关突入电流、电磁脉冲波。
♦ 装置机壳：金属阳极喷沙处理外壳防止自身电磁干扰泄漏。
♦ 突波能量处理方法：采用串联模式结构以及突波能量吸收后转换成电压。
♦ 适用电压范围： DC 160V-310V。
♦ 最大负载电流：1ψ3W 30A。
♦ 无负载时之输入阻抗 (R )值：>10MΩ。
♦ 负载30A 时核心模组温度：低於55 oC。
♦ 在线情况下承受突波冲击能力：1.2x50μs,10kV; 8x20μs,5kA 组合波, 20 秒时间间隔, 至少3 次。
♦ 突波能量吸收效率：1.2x50μs,10kV; 8x20μs,5kA 组合波, 99%±1% (不接地情况)。
♦ 突波入侵后DC 电源波形恢复时间：低於10mS (以组合波测试)。
♦ 承受EMP 电磁脉冲/EFT 冲击抑制能力：4.5kV, 5x50ns EFT 波形, 抑制能力95%±2% (不接地情况)。
♦ 负载侧残存突波电压：650V±20% (以组合波测试)。
♦ 对负载保护模式：L(+)-N(-), L(+)-G, and N(-)-G。
♦ SEAT 对地阻抗值要求：无要求。
♦ 运转环境温度与湿度：-40 to +85oC, 35 to 95%相对湿度 (不结露情况)。
♦ 尺寸：底座 117mm (L)/94mm(W)/ 上盖117mm (L)/94mm(W)/21mm(H) ±1%。(不含端子)
♦ 重量：320g ±5%。
♦ 适合标准：ANSI C62.41、IEC 61000-4-4、IEC 61000-4-5、IEC 61643-1、ANSI C37.90.1、
CNS 14676-4(C6424-4)、CNS14676-5(C6424-5)。
♦ 检验测试：加工作电压, 以10kV/5kA组合波, 4.5kV, 5x50ns EFT 波形进行测试。
MDT5-C2-30-160
♦ 抑制干扰种类：雷击闪络突波、开关突波、开关突入电流、电磁脉冲波。
♦ 装置机壳：金属阳极喷沙处理外壳防止自身电磁干扰泄漏。
♦ 突波能量处理方法：采用串联模式结构以及突波能量吸收后转换成电压。
♦ 适用电压范围： DC 60V-160V。
♦ 最大负载电流：1ψ3W 30A。
♦ 无负载时之输入阻抗 (R )值：>10MΩ。
♦ 负载30A 时核心模组温度：低於55 oC。
♦ 在线情况下承受突波冲击能力：1.2x50μs,10kV; 8x20μs,5kA 组合波, 20 秒时间间隔, 至少3 次。
♦ 突波能量吸收效率：1.2x50μs,10kV; 8x20μs,5kA 组合波, 99%±1% (不接地情况)。
♦ 突波入侵后DC 电源波形恢复时间：低於10mS (以组合波测试)。
♦ 承受EMP 电磁脉冲/EFT 冲击抑制能力：4.5kV, 5x50ns EFT 波形, 抑制能力95%±2% (不接地情况)。
♦ 负载侧残存突波电压：360V±20% (以组合波测试)。
♦ 对负载保护模式：L(+)-N(-), L(+)-G, and N(-)-G。
♦ SEAT 对地阻抗值要求：无要求。
♦ 运转环境温度与湿度：-40 to +85oC, 35 to 95%相对湿度 (不结露情况)。
♦ 尺寸：底座 117mm (L)/94mm(W)/ 上盖117mm (L)/94mm(W)/21mm(H) ±1%(不含端子)。
♦ 重量：320g ±5%。
♦ 适合标准：ANSI C62.41、IEC 61000-4-4、IEC 61000-4-5、IEC 61643-1、ANSI C37.90.1、
CNS14676-4(C6424-4)、CNS14676-5(C6424-5)。
♦ 检验测试：加工作电压, 以10kV/5kA 组合波, 4.5kV, 5x50ns EFT 波形进行测试。
MDT5-C2-15-310
♦ 抑制干扰种类：雷击闪络突波、开关突波、开关突入电流、电磁脉冲波。
♦ 装置机壳：金属阳极喷沙处理外壳防止自身电磁干扰泄漏。
♦ 突波能量处理方法：采用串联模式结构以及突波能量吸收后转换成电压。
♦ 适用电压范围： DC 160V-310V。
♦ 最大负载电流：1ψ3W 15A。
♦ 无负载时之输入阻抗 (R )值：>10MΩ。
♦ 负载15A 时核心模组温度：低於40 oC。
♦ 在线情况下承受突波冲击能力：1.2x50μs,10kV; 8x20μs,5kA 组合波, 20 秒时间间隔, 至少3 次。
♦ 突波能量吸收效率：1.2x50μs,10kV; 8x20μs,5kA 组合波, 99%±1% (不接地情况)。
♦ 突波入侵后DC 电源波形恢复时间：低於10mS (以组合波测试)。
♦ 承受EMP 电磁脉冲/EFT 冲击抑制能力：4.5kV, 5x50ns EFT 波形, 抑制能力95%±2% (不接地情况)。
♦ 负载侧残存突波电压：650V±20% (以组合波测试)。
♦ 对负载保护模式：L(+)-N(-), L(+)-G, and N(-)-G。
♦ SEAT 对地阻抗值要求：无要求。
♦ 运转环境温度与湿度：-40 to +85oC, 35 to 95%相对湿度 (不结露情况)。
♦ 尺寸：底座 117mm (L)/94mm(W)/ 上盖117mm (L)/94mm(W)/21mm(H) ±1%。(不含端子)
♦ 重量：320g ±5%。
♦ 适合标准：ANSI C62.41、IEC 61000-4-4、IEC 61000-4-5、IEC 61643-1、ANSI C37.90.1、
CNS 14676-4(C6424-4)、CNS14676-5(C6424-5)。
♦ 检验测试：加工作电压, 以10kV/5kA组合波, 4.5kV, 5x50ns EFT 波形进行测试。
MDT5-C2-15-160
♦ 抑制干扰种类：雷击闪络突波、开关突波、开关突入电流、电磁脉冲波。
♦ 装置机壳：金属阳极喷沙处理外壳防止自身电磁干扰泄漏。
♦ 突波能量处理方法：采用串联模式结构以及突波能量吸收后转换成电压。
♦ 适用电压范围：DC 60V-160V。
♦ 最大负载电流：1ψ3W 15A。
♦ 无负载时之输入阻抗 (R )值：>10MΩ。
♦ 负载15A 时核心模组温度：低於40 oC。
♦ 在线情况下承受突波冲击能力：1.2x50μs,10kV; 8x20μs,5kA 组合波, 20 秒时间间隔, 至少3 次。
♦ 突波能量吸收效率：1.2x50μs,10kV; 8x20μs,5kA 组合波, 99%±1% (不接地情况)。
♦ 突波入侵后DC 电源波形恢复时间：低於10mS (以组合波测试)。
♦ 承受EMP 电磁脉冲/EFT 冲击抑制能力：4.5kV, 5x50ns EFT 波形, 抑制能力95%±2% (不接地情况)。
♦ 负载侧残存突波电压：360V±20% (以组合波测试)。
♦ 对负载保护模式： L(+)-N(-), L(+)-G, and N(-)-G。
♦ SEAT 对地阻抗值要求：无要求。
♦ 运转环境温度与湿度：-40 to +85oC, 35 to 95%相对湿度 (不结露情况)。
♦ 尺寸：底座 117mm (L)/94mm(W)/ 上盖117mm (L)94/mm(W)/21mm(H) ±1%(不含端子)。
♦ 重量：320g ±5%。
♦ 适合标准：ANSI C62.41、IEC 61000-4-4、IEC 61000-4-5、IEC 61643-1、ANSI C37.90.1、
CNS14676-4(C6424-4)、CNS14676-5(C6424-5)。
♦ 检验测试：加工作电压, 以10kV/5kA 组合波, 4.5kV, 5x50ns EFT 波形进行测试。
MDT4-C2-30-160
♦ 抑制干扰种类：雷击闪络突波、开关突波、开关突入电流、电磁脉冲波。
♦ 装置机壳：金属阳极喷沙处理外壳防止自身电磁干扰泄漏。
♦ 突波能量处理方法：采用串联模式结构以及突波能量吸收后转换成电压。
♦ 适用电压范围： DC 60V-160V。
♦ 最大负载电流：1ψ2W 30A。
♦ 无负载时之输入阻抗 (R)值：>10MΩ。
♦ 负载30A 时核心模组温度：低於55 oC。
♦ 在线情况下承受突波冲击能力：1.2x50μs,10kV; 8x20μs,5kA 组合波, 20 秒时间间隔, 至少3 次。
♦ 突波能量吸收效率：1.2x50μs,10kV; 8x20μs,5kA 组合波, 99%±1% (不接地情况)。
♦ 突波入侵后DC 电源波形恢复时间：低於10mS (以组合波测试)。
♦ 承受EMP 电磁脉冲/EFT 冲击抑制能力：4.5kV, 5x50ns EFT 波形, 抑制能力95%±2% (不接地情况)。
♦ 负载侧残存突波电压：360V±20% (以组合波测试)。
♦ 对负载保护模式： L(+)-N(-),。
♦ SEAT 对地阻抗值要求：无要求。
♦ 运转环境温度与湿度：-40 to +85oC, 35 to 95%相对湿度 (不结露情况)。
♦ 尺寸：底座 117mm (L)/94mm(W)/ 上盖117mm (L)/94mm(W)/21mm(H) ±1%(不含端子)。
♦ 重量：310g ±5%。
♦ 适合标准：ANSI C62.41、IEC 61000-4-4、IEC 61000-4-5、IEC 61643-1、ANSI C37.90.1、
CNS14676-4(C6424-4)、CNS14676-5(C6424-5)。
♦ 检验测试：加工作电压, 以10kV/5kA 组合波, 4.5kV, 5x50ns EFT 波形进行测试
MDT4-C2-15-160
♦ 抑制干扰种类：雷击闪络突波、开关突波、开关突入电流、电磁脉冲波。
♦ 装置机壳：金属阳极喷沙处理外壳防止自身电磁干扰泄漏。
♦ 突波能量处理方法：采用串联模式结构以及突波能量吸收后转换成电压。
♦ 适用电压范围：DC 60V-160V。
♦ 最大负载电流： 1ψ2W 15A。
♦ 无负载时之输入阻抗 (R)值：>10MΩ。
♦ 负载15A 时核心模组温度：低於40 oC。
♦ 在线情况下承受突波冲击能力：1.2x50μs,10kV; 8x20μs,5kA 组合波, 20 秒时间间隔, 至少3 次。
♦ 突波能量吸收效率：1.2x50μs,10kV; 8x20μs,5kA 组合波, 99%±1% (不接地情况)。
♦ 突波入侵后DC 电源波形恢复时间：低於10mS (以组合波测试)。
♦ 承受EMP 电磁脉冲/EFT 冲击抑制能力：4.5kV, 5x50ns EFT 波形, 抑制能力95%±2% (不接地情况)。
♦ 负载侧残存突波电压：360V±20% (以组合波测试)。
♦ 对负载保护模式： L(+)-N(-),。
♦ SEAT 对地阻抗值要求：无要求。
♦ 运转环境温度与湿度：-40 to +85oC, 35 to 95%相对湿度 (不结露情况)。
♦ 尺寸：底座 117mm (L)/94mm(W)/ 上盖117mm (L)/94mm(W)/21mm(H) ±1%(不含端子)。
♦ 重量：305 g ±5%。
♦ 适合标准：ANSI C62.41、IEC 61000-4-4、IEC 61000-4-5、IEC 61643-1、ANSI C37.90.1、
CNS14676-4(C6424-4)、CNS14676-5(C6424-5)。
♦ 检验测试：加工作电压, 以10kV/5kA 组合波, 4.5kV, 5x50ns EFT 波形进行测试
MDRT5-C2-30-310
♦ 抑制干扰种类：雷击闪络突波、开关突波、开关突入电流、电磁脉冲波。
♦ 突波能量处理方法：采用串联模式结构以及突波能量吸收后转换成电压。
♦ 装设位置：开关箱断路器二次侧, 仪器柜电源。
♦ 显示功能：纪录突波干扰发生次数、LED 显示系统装置动作与状态。
♦ 核心模组：密封金属外壳防止电磁干扰泄漏。
♦ 机壳外观： 金属阳极喷沙处理。
♦ 适用电压范围： DC 160V-310V。
♦ 最大负载电流：1ψ3W 30A。
♦ 无负载时之输入阻抗(R)值：>10MΩ。
♦ 负载30A 时核心模组温度：低於55 oC。
♦ 在线情况下承受突波冲击能力：1.2x50μs,10kV; 8x20μs,5kA 组合波, 20 秒时间间隔, 至少3 次。
♦ 突波能量吸收效率：1.2x50μs,10kV; 8x20μs,5kA 组合波, 99%±1% (不接地情况)。
♦ 突波入侵后DC 电源波形恢复时间：低於10mS (以组合波测试)。
♦ 承受EMP 电磁脉冲/EFT 冲击抑制能力：4.5kV, 5x50ns EFT 波形, 抑制能力95%±2% (不接地情况)。
♦ 负载侧残存突波电压：650V±20% (以组合波测试)。
♦ 对负载保护模式： L(+)-N(-), L(+)-G, and N(-)-G。
♦ SEAT 对地阻抗值要求：无要求。
♦ 运转环境温度与湿度：-40 to +85oC, 35 to 95%相对湿度 (不结露情况)。
♦ 尺寸：底座 167mm (L)/127mm(W)/ 上盖167mm (L)/127mm(W)/62mm(H) ±1%(不含旋钮)。
♦ 重量：1,250g ±5%。
♦ 适合标准：ANSI C62.41、IEC 61000-4-4、IEC 61000-4-5、IEC 61643-1、ANSI C37.90.1、
CNS14676-4(C6424-4)、CNS14676-5(C6424-5)。
♦ 检验测试：加工作电压, 以10kV/5kA 组合波, 4.5kV, 5x50ns EFT 波形进行测试。
MDRT5-C2-30-160
♦ 抑制干扰种类：雷击闪络突波、开关突波、开关突入电流、电磁脉冲波。
♦ 突波能量处理方法：采用串联模式结构以及突波能量吸收后转换成电压。
♦ 装设位置：开关箱断路器二次侧, 仪器柜电源。
♦ 显示功能：纪录突波干扰发生次数、LED 显示系统装置动作与状态。
♦ 核心模组：密封金属外壳防止电磁干扰泄漏。
♦ 机壳外观： 金属阳极喷沙处理。
♦ 适用电压范围：DC 60V-160V。
♦ 最大负载电流：1ψ3W 30A。
♦ 无负载时之输入阻抗(R)值：>10MΩ。
♦ 负载30A 时核心模组温度：低於55 oC。
♦ 在线情况下承受突波冲击能力：1.2x50μs,10kV; 8x20μs,5kA 组合波, 20 秒时间间隔, 至少3 次。
♦ 突波能量吸收效率：1.2x50μs,10kV; 8x20μs,5kA 组合波, 99%±1% (不接地情况)。
♦ 突波入侵后DC 电源波形恢复时间：低於10mS (以组合波测试)。
♦ 承受EMP 电磁脉冲/EFT 冲击抑制能力：4.5kV, 5x50ns EFT 波形, 抑制能力95%±2% (不接地情况)。
♦ 负载侧残存突波电压：360V±20% (以组合波测试)。
♦ 对负载保护模式： L(+)-N(-), L(+)-G, and N(-)-G。
♦ SEAT 对地阻抗值要求：无要求。
♦ 运转环境温度与湿度：-40 to +85oC, 35 to 95%相对湿度 (不结露情况)。
♦ 尺寸：底座 167mm (L)/127mm(W)/ 上盖167mm (L)/127mm(W)/62mm(H) ±1%(不含旋钮)。
♦ 重量：1,250g ±5%。
♦ 适合标准：ANSI C62.41、IEC 61000-4-4、IEC 61000-4-5、IEC 61643-1、ANSI C37.90.1、
CNS14676-4(C6424-4)、CNS14676-5(C6424-5)。
♦ 检验测试：加工作电压, 以10kV/5kA 组合波, 4.5kV, 5x50ns EFT 波形进行测试。
MDRT5-C2-15-160
♦ 抑制干扰种类：雷击闪络突波、开关突波、开关突入电流、电磁脉冲波。
♦ 突波能量处理方法：采用串联模式结构以及突波能量吸收后转换成电压。
♦ 装设位置：开关箱断路器二次侧, 仪器柜电源。
♦ 显示功能：纪录突波干扰发生次数、LED 显示系统装置动作与状态。
♦ 核心模组：密封金属外壳防止电磁干扰泄漏。
♦ 机壳外观： 金属阳极喷沙处理。
♦ 适用电压范围： DC 60V-160V。
♦ 最大负载电流： 1ψ3W 15A。
♦ 无负载时之输入阻抗(R)值：>10MΩ。
♦ 负载15A 时核心模组温度：低於55 oC。
♦ 在线情况下承受突波冲击能力：1.2x50μs,10kV; 8x20μs,5kA 组合波, 20 秒时间间隔, 至少3 次。
♦ 突波能量吸收效率：1.2x50μs,10kV; 8x20μs,5kA 组合波, 99%±1% (不接地情况)。
♦ 突波入侵后DC 电源波形恢复时间：低於10mS (以组合波测试)。
♦ 承受EMP 电磁脉冲/EFT 冲击抑制能力：4.5kV, 5x50ns EFT 波形, 抑制能力95%±2% (不接地情况)。
♦ 负载侧残存突波电压：360V±20% (以组合波测试)。
♦ 对负载保护模式： L(+)-N(-), L(+)-G, and N(-)-G。
♦ SEAT 对地阻抗值要求：无要求。
♦ 运转环境温度与湿度：-40 to +85oC, 35 to 95%相对湿度 (不结露情况)。
♦ 尺寸：底座 167mm (L)/127mm(W)/ 上盖167mm (L)/127mm(W)/62mm(H) ±1%(不含旋钮)。
♦ 重量：1,250g ±5%。
♦ 适合标准：ANSI C62.41、IEC 61000-4-4、IEC 61000-4-5、IEC 61643-1、ANSI C37.90.1、
CNS14676-4(C6424-4)、CNS14676-5(C6424-5)。
♦ 检验测试：加工作电压, 以10kV/5kA 组合波, 4.5kV, 5x50ns EFT 波形进行测试。