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MDT5-C2-30-310
♦ 抑制干擾種類：雷擊閃絡突波、開關突波、開關突入電流、電磁脈衝波。
♦ 裝置機殼：金屬陽極噴沙處理外殼防止自身電磁干擾洩漏。
♦ 突波能量處理方法：採用串聯模式結構以及突波能量吸收後轉換成電壓。
♦ 適用電壓範圍： DC 160V-310V。
♦ 最大負載電流：1ψ3W 30A。
♦ 無負載時之輸入阻抗 (R )值：>10MΩ。
♦ 負載30A 時核心模組溫度：低於55 oC。
♦ 在線情況下承受突波衝擊能力：1.2x50μs,10kV; 8x20μs,5kA 組合波, 20 秒時間間隔, 至少3 次。
♦ 突波能量吸收效率：1.2x50μs,10kV; 8x20μs,5kA 組合波, 99%±1% (不接地情況)。
♦ 突波入侵後DC 電源波形恢復時間：低於10mS (以組合波測試)。
♦ 承受EMP 電磁脈衝/EFT 衝擊抑制能力：4.5kV, 5x50ns EFT 波形, 抑制能力95%±2% (不接地情況)。
♦ 負載側殘存突波電壓：650V±20% (以組合波測試)。
♦ 對負載保護模式：L(+)-N(-), L(+)-G, and N(-)-G。
♦ SEAT 對地阻抗值要求：無要求。
♦ 運轉環境溫度與濕度：-40 to +85oC, 35 to 95%相對濕度 (不結露情況)。
♦ 尺寸：底座 117mm (L)/94mm(W)/ 上蓋117mm (L)/94mm(W)/21mm(H) ±1%。(不含端子)
♦ 重量：320g ±5%。
♦ 適合標準：ANSI C62.41、IEC 61000-4-4、IEC 61000-4-5、IEC 61643-1、ANSI C37.90.1、
CNS 14676-4(C6424-4)、CNS14676-5(C6424-5)。
♦ 檢驗測試：加工作電壓, 以10kV/5kA組合波, 4.5kV, 5x50ns EFT 波形進行測試。
MDT5-C2-30-160
♦ 抑制干擾種類：雷擊閃絡突波、開關突波、開關突入電流、電磁脈衝波。
♦ 裝置機殼：金屬陽極噴沙處理外殼防止自身電磁干擾洩漏。
♦ 突波能量處理方法：採用串聯模式結構以及突波能量吸收後轉換成電壓。
♦ 適用電壓範圍： DC 60V-160V。
♦ 最大負載電流：1ψ3W 30A。
♦ 無負載時之輸入阻抗 (R )值：>10MΩ。
♦ 負載30A 時核心模組溫度：低於55 oC。
♦ 在線情況下承受突波衝擊能力：1.2x50μs,10kV; 8x20μs,5kA 組合波, 20 秒時間間隔, 至少3 次。
♦ 突波能量吸收效率：1.2x50μs,10kV; 8x20μs,5kA 組合波, 99%±1% (不接地情況)。
♦ 突波入侵後DC 電源波形恢復時間：低於10mS (以組合波測試)。
♦ 承受EMP 電磁脈衝/EFT 衝擊抑制能力：4.5kV, 5x50ns EFT 波形, 抑制能力95%±2% (不接地情況)。
♦ 負載側殘存突波電壓：360V±20% (以組合波測試)。
♦ 對負載保護模式：L(+)-N(-), L(+)-G, and N(-)-G。
♦ SEAT 對地阻抗值要求：無要求。
♦ 運轉環境溫度與濕度：-40 to +85oC, 35 to 95%相對濕度 (不結露情況)。
♦ 尺寸：底座 117mm (L)/94mm(W)/ 上蓋117mm (L)/94mm(W)/21mm(H) ±1%(不含端子)。
♦ 重量：320g ±5%。
♦ 適合標準：ANSI C62.41、IEC 61000-4-4、IEC 61000-4-5、IEC 61643-1、ANSI C37.90.1、
CNS14676-4(C6424-4)、CNS14676-5(C6424-5)。
♦ 檢驗測試：加工作電壓, 以10kV/5kA 組合波, 4.5kV, 5x50ns EFT 波形進行測試。
MDT5-C2-15-310
♦ 抑制干擾種類：雷擊閃絡突波、開關突波、開關突入電流、電磁脈衝波。
♦ 裝置機殼：金屬陽極噴沙處理外殼防止自身電磁干擾洩漏。
♦ 突波能量處理方法：採用串聯模式結構以及突波能量吸收後轉換成電壓。
♦ 適用電壓範圍： DC 160V-310V。
♦ 最大負載電流：1ψ3W 15A。
♦ 無負載時之輸入阻抗 (R )值：>10MΩ。
♦ 負載15A 時核心模組溫度：低於40 oC。
♦ 在線情況下承受突波衝擊能力：1.2x50μs,10kV; 8x20μs,5kA 組合波, 20 秒時間間隔, 至少3 次。
♦ 突波能量吸收效率：1.2x50μs,10kV; 8x20μs,5kA 組合波, 99%±1% (不接地情況)。
♦ 突波入侵後DC 電源波形恢復時間：低於10mS (以組合波測試)。
♦ 承受EMP 電磁脈衝/EFT 衝擊抑制能力：4.5kV, 5x50ns EFT 波形, 抑制能力95%±2% (不接地情況)。
♦ 負載側殘存突波電壓：650V±20% (以組合波測試)。
♦ 對負載保護模式：L(+)-N(-), L(+)-G, and N(-)-G。
♦ SEAT 對地阻抗值要求：無要求。
♦ 運轉環境溫度與濕度：-40 to +85oC, 35 to 95%相對濕度 (不結露情況)。
♦ 尺寸：底座 117mm (L)/94mm(W)/ 上蓋117mm (L)/94mm(W)/21mm(H) ±1%。(不含端子)
♦ 重量：320g ±5%。
♦ 適合標準：ANSI C62.41、IEC 61000-4-4、IEC 61000-4-5、IEC 61643-1、ANSI C37.90.1、
CNS 14676-4(C6424-4)、CNS14676-5(C6424-5)。
♦ 檢驗測試：加工作電壓, 以10kV/5kA組合波, 4.5kV, 5x50ns EFT 波形進行測試。
MDT5-C2-15-160
♦ 抑制干擾種類：雷擊閃絡突波、開關突波、開關突入電流、電磁脈衝波。
♦ 裝置機殼：金屬陽極噴沙處理外殼防止自身電磁干擾洩漏。
♦ 突波能量處理方法：採用串聯模式結構以及突波能量吸收後轉換成電壓。
♦ 適用電壓範圍：DC 60V-160V。
♦ 最大負載電流：1ψ3W 15A。
♦ 無負載時之輸入阻抗 (R )值：>10MΩ。
♦ 負載15A 時核心模組溫度：低於40 oC。
♦ 在線情況下承受突波衝擊能力：1.2x50μs,10kV; 8x20μs,5kA 組合波, 20 秒時間間隔, 至少3 次。
♦ 突波能量吸收效率：1.2x50μs,10kV; 8x20μs,5kA 組合波, 99%±1% (不接地情況)。
♦ 突波入侵後DC 電源波形恢復時間：低於10mS (以組合波測試)。
♦ 承受EMP 電磁脈衝/EFT 衝擊抑制能力：4.5kV, 5x50ns EFT 波形, 抑制能力95%±2% (不接地情況)。
♦ 負載側殘存突波電壓：360V±20% (以組合波測試)。
♦ 對負載保護模式： L(+)-N(-), L(+)-G, and N(-)-G。
♦ SEAT 對地阻抗值要求：無要求。
♦ 運轉環境溫度與濕度：-40 to +85oC, 35 to 95%相對濕度 (不結露情況)。
♦ 尺寸：底座 117mm (L)/94mm(W)/ 上蓋117mm (L)94/mm(W)/21mm(H) ±1%(不含端子)。
♦ 重量：320g ±5%。
♦ 適合標準：ANSI C62.41、IEC 61000-4-4、IEC 61000-4-5、IEC 61643-1、ANSI C37.90.1、
CNS14676-4(C6424-4)、CNS14676-5(C6424-5)。
♦ 檢驗測試：加工作電壓, 以10kV/5kA 組合波, 4.5kV, 5x50ns EFT 波形進行測試。
MDT4-C2-30-160
♦ 抑制干擾種類：雷擊閃絡突波、開關突波、開關突入電流、電磁脈衝波。
♦ 裝置機殼：金屬陽極噴沙處理外殼防止自身電磁干擾洩漏。
♦ 突波能量處理方法：採用串聯模式結構以及突波能量吸收後轉換成電壓。
♦ 適用電壓範圍： DC 60V-160V。
♦ 最大負載電流：1ψ2W 30A。
♦ 無負載時之輸入阻抗 (R)值：>10MΩ。
♦ 負載30A 時核心模組溫度：低於55 oC。
♦ 在線情況下承受突波衝擊能力：1.2x50μs,10kV; 8x20μs,5kA 組合波, 20 秒時間間隔, 至少3 次。
♦ 突波能量吸收效率：1.2x50μs,10kV; 8x20μs,5kA 組合波, 99%±1% (不接地情況)。
♦ 突波入侵後DC 電源波形恢復時間：低於10mS (以組合波測試)。
♦ 承受EMP 電磁脈衝/EFT 衝擊抑制能力：4.5kV, 5x50ns EFT 波形, 抑制能力95%±2% (不接地情況)。
♦ 負載側殘存突波電壓：360V±20% (以組合波測試)。
♦ 對負載保護模式： L(+)-N(-),。
♦ SEAT 對地阻抗值要求：無要求。
♦ 運轉環境溫度與濕度：-40 to +85oC, 35 to 95%相對濕度 (不結露情況)。
♦ 尺寸：底座 117mm (L)/94mm(W)/ 上蓋117mm (L)/94mm(W)/21mm(H) ±1%(不含端子)。
♦ 重量：310g ±5%。
♦ 適合標準：ANSI C62.41、IEC 61000-4-4、IEC 61000-4-5、IEC 61643-1、ANSI C37.90.1、
CNS14676-4(C6424-4)、CNS14676-5(C6424-5)。
♦ 檢驗測試：加工作電壓, 以10kV/5kA 組合波, 4.5kV, 5x50ns EFT 波形進行測試
MDT4-C2-15-160
♦ 抑制干擾種類：雷擊閃絡突波、開關突波、開關突入電流、電磁脈衝波。
♦ 裝置機殼：金屬陽極噴沙處理外殼防止自身電磁干擾洩漏。
♦ 突波能量處理方法：採用串聯模式結構以及突波能量吸收後轉換成電壓。
♦ 適用電壓範圍：DC 60V-160V。
♦ 最大負載電流： 1ψ2W 15A。
♦ 無負載時之輸入阻抗 (R)值：>10MΩ。
♦ 負載15A 時核心模組溫度：低於40 oC。
♦ 在線情況下承受突波衝擊能力：1.2x50μs,10kV; 8x20μs,5kA 組合波, 20 秒時間間隔, 至少3 次。
♦ 突波能量吸收效率：1.2x50μs,10kV; 8x20μs,5kA 組合波, 99%±1% (不接地情況)。
♦ 突波入侵後DC 電源波形恢復時間：低於10mS (以組合波測試)。
♦ 承受EMP 電磁脈衝/EFT 衝擊抑制能力：4.5kV, 5x50ns EFT 波形, 抑制能力95%±2% (不接地情況)。
♦ 負載側殘存突波電壓：360V±20% (以組合波測試)。
♦ 對負載保護模式： L(+)-N(-),。
♦ SEAT 對地阻抗值要求：無要求。
♦ 運轉環境溫度與濕度：-40 to +85oC, 35 to 95%相對濕度 (不結露情況)。
♦ 尺寸：底座 117mm (L)/94mm(W)/ 上蓋117mm (L)/94mm(W)/21mm(H) ±1%(不含端子)。
♦ 重量：305 g ±5%。
♦ 適合標準：ANSI C62.41、IEC 61000-4-4、IEC 61000-4-5、IEC 61643-1、ANSI C37.90.1、
CNS14676-4(C6424-4)、CNS14676-5(C6424-5)。
♦ 檢驗測試：加工作電壓, 以10kV/5kA 組合波, 4.5kV, 5x50ns EFT 波形進行測試
MDRT5-C2-30-310
♦ 抑制干擾種類：雷擊閃絡突波、開關突波、開關突入電流、電磁脈衝波。
♦ 突波能量處理方法：採用串聯模式結構以及突波能量吸收後轉換成電壓。
♦ 裝設位置：開關箱斷路器二次側, 儀器櫃電源。
♦ 顯示功能：紀錄突波干擾發生次數、LED 顯示系統裝置動作與狀態。
♦ 核心模組：密封金屬外殼防止電磁干擾洩漏。
♦ 機殼外觀： 金屬陽極噴沙處理。
♦ 適用電壓範圍： DC 160V-310V。
♦ 最大負載電流：1ψ3W 30A。
♦ 無負載時之輸入阻抗(R)值：>10MΩ。
♦ 負載30A 時核心模組溫度：低於55 oC。
♦ 在線情況下承受突波衝擊能力：1.2x50μs,10kV; 8x20μs,5kA 組合波, 20 秒時間間隔, 至少3 次。
♦ 突波能量吸收效率：1.2x50μs,10kV; 8x20μs,5kA 組合波, 99%±1% (不接地情況)。
♦ 突波入侵後DC 電源波形恢復時間：低於10mS (以組合波測試)。
♦ 承受EMP 電磁脈衝/EFT 衝擊抑制能力：4.5kV, 5x50ns EFT 波形, 抑制能力95%±2% (不接地情況)。
♦ 負載側殘存突波電壓：650V±20% (以組合波測試)。
♦ 對負載保護模式： L(+)-N(-), L(+)-G, and N(-)-G。
♦ SEAT 對地阻抗值要求：無要求。
♦ 運轉環境溫度與濕度：-40 to +85oC, 35 to 95%相對濕度 (不結露情況)。
♦ 尺寸：底座 167mm (L)/127mm(W)/ 上蓋167mm (L)/127mm(W)/62mm(H) ±1%(不含旋鈕)。
♦ 重量：1,250g ±5%。
♦ 適合標準：ANSI C62.41、IEC 61000-4-4、IEC 61000-4-5、IEC 61643-1、ANSI C37.90.1、
CNS14676-4(C6424-4)、CNS14676-5(C6424-5)。
♦ 檢驗測試：加工作電壓, 以10kV/5kA 組合波, 4.5kV, 5x50ns EFT 波形進行測試。
MDRT5-C2-30-160
♦ 抑制干擾種類：雷擊閃絡突波、開關突波、開關突入電流、電磁脈衝波。
♦ 突波能量處理方法：採用串聯模式結構以及突波能量吸收後轉換成電壓。
♦ 裝設位置：開關箱斷路器二次側, 儀器櫃電源。
♦ 顯示功能：紀錄突波干擾發生次數、LED 顯示系統裝置動作與狀態。
♦ 核心模組：密封金屬外殼防止電磁干擾洩漏。
♦ 機殼外觀： 金屬陽極噴沙處理。
♦ 適用電壓範圍：DC 60V-160V。
♦ 最大負載電流：1ψ3W 30A。
♦ 無負載時之輸入阻抗(R)值：>10MΩ。
♦ 負載30A 時核心模組溫度：低於55 oC。
♦ 在線情況下承受突波衝擊能力：1.2x50μs,10kV; 8x20μs,5kA 組合波, 20 秒時間間隔, 至少3 次。
♦ 突波能量吸收效率：1.2x50μs,10kV; 8x20μs,5kA 組合波, 99%±1% (不接地情況)。
♦ 突波入侵後DC 電源波形恢復時間：低於10mS (以組合波測試)。
♦ 承受EMP 電磁脈衝/EFT 衝擊抑制能力：4.5kV, 5x50ns EFT 波形, 抑制能力95%±2% (不接地情況)。
♦ 負載側殘存突波電壓：360V±20% (以組合波測試)。
♦ 對負載保護模式： L(+)-N(-), L(+)-G, and N(-)-G。
♦ SEAT 對地阻抗值要求：無要求。
♦ 運轉環境溫度與濕度：-40 to +85oC, 35 to 95%相對濕度 (不結露情況)。
♦ 尺寸：底座 167mm (L)/127mm(W)/ 上蓋167mm (L)/127mm(W)/62mm(H) ±1%(不含旋鈕)。
♦ 重量：1,250g ±5%。
♦ 適合標準：ANSI C62.41、IEC 61000-4-4、IEC 61000-4-5、IEC 61643-1、ANSI C37.90.1、
CNS14676-4(C6424-4)、CNS14676-5(C6424-5)。
♦ 檢驗測試：加工作電壓, 以10kV/5kA 組合波, 4.5kV, 5x50ns EFT 波形進行測試。
MDRT5-C2-15-160
♦ 抑制干擾種類：雷擊閃絡突波、開關突波、開關突入電流、電磁脈衝波。
♦ 突波能量處理方法：採用串聯模式結構以及突波能量吸收後轉換成電壓。
♦ 裝設位置：開關箱斷路器二次側, 儀器櫃電源。
♦ 顯示功能：紀錄突波干擾發生次數、LED 顯示系統裝置動作與狀態。
♦ 核心模組：密封金屬外殼防止電磁干擾洩漏。
♦ 機殼外觀： 金屬陽極噴沙處理。
♦ 適用電壓範圍： DC 60V-160V。
♦ 最大負載電流： 1ψ3W 15A。
♦ 無負載時之輸入阻抗(R)值：>10MΩ。
♦ 負載15A 時核心模組溫度：低於55 oC。
♦ 在線情況下承受突波衝擊能力：1.2x50μs,10kV; 8x20μs,5kA 組合波, 20 秒時間間隔, 至少3 次。
♦ 突波能量吸收效率：1.2x50μs,10kV; 8x20μs,5kA 組合波, 99%±1% (不接地情況)。
♦ 突波入侵後DC 電源波形恢復時間：低於10mS (以組合波測試)。
♦ 承受EMP 電磁脈衝/EFT 衝擊抑制能力：4.5kV, 5x50ns EFT 波形, 抑制能力95%±2% (不接地情況)。
♦ 負載側殘存突波電壓：360V±20% (以組合波測試)。
♦ 對負載保護模式： L(+)-N(-), L(+)-G, and N(-)-G。
♦ SEAT 對地阻抗值要求：無要求。
♦ 運轉環境溫度與濕度：-40 to +85oC, 35 to 95%相對濕度 (不結露情況)。
♦ 尺寸：底座 167mm (L)/127mm(W)/ 上蓋167mm (L)/127mm(W)/62mm(H) ±1%(不含旋鈕)。
♦ 重量：1,250g ±5%。
♦ 適合標準：ANSI C62.41、IEC 61000-4-4、IEC 61000-4-5、IEC 61643-1、ANSI C37.90.1、
CNS14676-4(C6424-4)、CNS14676-5(C6424-5)。
♦ 檢驗測試：加工作電壓, 以10kV/5kA 組合波, 4.5kV, 5x50ns EFT 波形進行測試。